80%的受访者认为，到2028年，将有多家公司在大批量制造（HVM）中广泛采用高数值孔径EUV光刻技术，与去年调查中报告的比例相同。此外，与去年的调查相比，对前沿掩模商可处理曲线掩模需求的信心增加了一倍，而87%的人预测前沿掩模至少能处理有限数量的曲线掩模。

  今年的杰出人物调查中增加了新问题，评估人们对EUV和非EUV前沿掩模和图案的看法。70%的人表示曲线逆光刻技术（ILT）对于非EUV前沿节点很有用，而75%的人同意2纳米、0.33 NA EUV需要该技术。预计通过光化测试检查EUV掩模的百分比将在三年内翻一番，从2023年的加权平均30%增加到2026年的63%。此外，95%的人同意需要多光束掩模写入机来写入EUV掩模 。

  近日，专家小组在与加州蒙特雷SPIE光掩模技术 + EUV光刻会议联合举办的eBeam Initiative活动中讨论灯具调查的完整结果。

  • 83%的受访者预测，2023年掩模收入将增加或保持不变，尽管SEMI预测掩模市场将收缩3%

  • 大多数受访者预测，未来三年用于多光束掩模写入机（77%）和掩模检测（63%）的仅193i设备采购量将会增加

  • 83%的受访者认为，“非EUV前沿”（193i光刻达到经济可行性实际极限的节点）在>

  5 nm 至14 nm范围内

  eBeam Initiative的管理公司赞助商D2S首席执行官Aki Fujimura表示：“年度eBeam Initiative杰出人物调查的参与者是一群独特的半导体内部人士，他们对塑造该行业的市场和技术趋势有着敏锐的洞察力。在过去几年中，调查指出曲线ILT的使用增加是EUV和193i的主要趋势。今年的调查的最终结果表明，人们对曲线掩模（包括非EUV 前沿节点）仍然充满信心，并且存在在更关键层使用ILT的趋势。得益于多光束掩模写入和GPU加速，现在能轻松实现曲线掩模。曲线掩模展示了诸如工艺窗口增加高达100%等优势，表明它们能成为将当前光刻技术扩展到更先进节点的解决方案的一部分。”

  测量实验 /

  (NA，Numerical Aperture)成反比，也就是说，如果要增大解像度，需要在缩短波长的同时，扩大

  曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野 /

  为0.9的徕卡100倍物镜。一般的情况倍数越大，NA值也越大。 其大小由下式决定：NA = n * sin ，其中 n 是被观察物体与物镜之间介质的折射率； 是物镜

  的极紫外光刻机NXE:5000系列，设计已经基本完成。 外媒在报道中也表示，虽然阿斯麦NXE:5000

  ，相对于图案尺寸投射更长的阴影。“黑暗”、完全被遮挡的区域和“明亮”、完全曝光的区域之间的边界变为灰色，以此来降低了图像对比度。

  系统的好处 /

  极紫外光刻机 2024 年开始出货 据国外新闻媒体报道，光刻机制造商阿斯麦的 CEO 兼总裁彼得・维尼克 (Peter Wennink)，在本周

  版缺陷分类、检测、补偿 /

  的时间表和技术方面的要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示，目标是提高

  的技术要求是什么 /

  的可能拼接解决方案 /

  吴恩达《深度学习》系列课 - 31.为什么需要非线性激活函数？#深度学习