从PCB上述各因素的分析是解决印制板温升的有效途径，小编认为，往往在一个产品和系统中这一些因素是互相关联和依赖的，大多数因素应根据真实的情况来分析，只有针对某一具体实际情况才能比...

  第一步，分析视图，分析Datasheet中所提供的图示，一般会提供几个视图，首先要分析出哪个是“TOP”视图，哪个是“BOTTOM”视图，以免做封装时镜像，如图4-8所示，...

  本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法非物理性腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能会影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的...

  半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展趋势半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Wafer level package）...

  IC的散热主要有两个方向，一个是由封装上表面传到空气中，另外一个则是由IC向下传到PCB板上，再由板传到空气中。...

  目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。1，2干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁的典型均方根...

  包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象非常深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度，对高功率电子器件也很有...

  虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的...

  全球疫情持续影响，对整个制造业发展都造成了震荡，连接器行业同样也是深受波及。但即便在去年整个连接器行业面临原材料紧缺、涨价、成本高企等坏因影响的背景下，工业连接器品牌...

  本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法非物理性腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能会影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影...

  硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用在所有湿法清洗工艺步骤。表2.1显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序:...

  电化学气体传感器常被用于挥发性有机物（VOC）检测，但是单个电化学气体传感器无法对具有复杂成分的VOC做准确分析，而通过将分子印迹聚合物（MIP）敏感层与传感器阵列相结合，可以...

  2022年上半年 NVIDIA DOCA 1.3版本发布，对于开发者们更好地使用DPU，尤其是新一代的英伟达BlueField DPU进行简单灵活的软件开发，有着更好的帮助。7月5日，英伟达的有关技术专家和首届NVIDIA DPU中国...

  此处为赞助商广告展示 原文标题：涨知识！半导体封装技术基础详解 文章出处：【微信公众号：旺材芯片】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。       审核编辑：彭静...

  近年来，半导体技术发展迅速，集成电路产业规模逐步扩大。5G 时代的到来，对射频器件所用半导体材料提出了新要求。氮化镓（GaN）由于其带宽度和高饱和电子迁移率成为该领域的新兴材...

  也称CPAC(globe top pad array carrier)。球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法...

  先进封装(advanced packaging)的后端工艺(back-end)之一，将晶圆或组件进行划片或开槽，以利后续制程或功能性测试。...

  HOT 允许独立优化顶部和底部器件的晶体取向和应变工程，而不会增加工艺流程成本。例如，在 n-on-p 配置中，可以在顶部使用具有 100 取向的硅片，从而为顶部 nMOS 器件提供最高的电子迁...

  电子封装是器件到系统的桥梁，这一环节极大影响力微电子产品的质量和竞争力。随着半导体技术的发展， IC 载板的特征尺寸不断缩小、集成度逐步的提升，相应的 IC 封装向着超多引脚、窄节距...

  对于那些PCB中的元件封装与原理图元件Properties属性面板Parameters中显示的封装不匹配的设计，下面将向您介绍如何使它们同步。...

  晶圆级封装技术可定义为：直接在晶圆上进行大部分或全部的封装、测试程序，然后再来安装焊球并切割，从而产出一颗颗的IC成品单元。...

  成像及直写光刻设备研发生产企业合肥芯碁微电子装备股份有限公司发布2022第一季度报告，详细的细节内容如下。 一、 主要财务数据 （一）主要会计数据和财务指标 单位：元 币种：人民币   项目...

  半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是，硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染，空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力，这些污染物牢固地结合在...

  本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二...

  FinFET确切的说，是一个技术的代称。世界上第一个3D三维晶体管是由英特尔在2011年5月宣布研制成功，当时英特尔称其为 “Tri-Gate”（三栅极晶体管）。...

  引言 过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常...